概述：半导体制造工艺技术难点多，操作复杂，是整个半导体制造的核心，由于半导体工业复杂性以及快速变化，半导体制造工艺及可靠性中的多场多尺度耦合问题一直未得到广泛研究。半导体企业在进行工艺变革和调整中还主要依赖于试错方案（Trial-and-Error）以及实验设计（DOE）。目前相关的自主仿真软件严重缺失。
目标：从热-电-力耦合的基本原理出发，结合半导体制造工艺及可靠性的特性，建立对应的模型，提供热分析、力分析、电磁分析以及跨尺度及多场耦合分析。
范围：定制工艺涵盖芯片制造工艺如沉积、刻蚀、化学机械抛光、植球、裂片等模型，同时包括芯片封装工艺及可靠性验证，如基板、键合、减薄、填充、固化等工艺模型。
概述：将各种不确定性因素引入到仿真模型中来，利用多种不确定性量化手段，实现对产品性能响应不确定性的度量，并且找出关键不确定性因素，通过控制这些不确定性因素达到提高产品可靠性水平的目的。
目标：随着芯片特征尺寸不断微缩，先进封装能够有效缓解信号传输过程中失真、串扰、功耗以及可靠性等问题。面对器件封装结构高复杂化、异质异构集成化的发展要求，封测企业面临在不影响良率及可靠性下，将更多异质异构的Chiplet芯片系统集成挑战。因此，在前道芯片设计及后道芯片封装中，需要基于Co-design的仿真计算，为器件功能的实现提供解决方案。
范围：涵盖了层压板、打线类、倒装类和系统级封装仿真设计，包括扇出封装(FO)、Chiplet集成与封装和先进的三维系统级封装(SiP)，涵盖芯片制造工艺如沉积、刻蚀、化学机械抛光植球、裂片等模型，同时包括芯片封装工艺及可靠性仿真服务，如基板、键合、减薄、填充、固化以及其可靠性验证模型。
概述：与芯片制造-封测工艺及可靠性模型相统一的材料数据库，芯片制造-封测材料数据库能够供应各种材料数据。
目标：提供先进芯片制造-封装工艺热分析、力分析、电磁分析以及他们的多尺度及多场耦合仿真所需的基础(本构)数据服务。
范围：芯片制造-封测材料数据库提供可直接用于多场多尺度仿真场景的材料本构数据库。
概述：先进芯片材料及工艺集成测试平台能够对各类芯片材料进行精确的分析和测试。具体测试服务价格请查看产品案例中的材料参数测试价格表文件。同时，平台还集成了多种工艺测试手段，可以全面评估芯片在制造过程中的性能表现。通过这一平台，武创芯研科技能够为客户提供从芯片材料选择、工艺优化到成品质量控制的全方位服务。
目标：提供全面的材料表征手段应对从样品制备、表面到基材、从主成分到微量元素的分析需求，为先进芯片新材料研发、电子制造等前沿研究提供材料研究—表征—制备—测试—加工等综合性技术服务。
范围：(1) 形貌表征与成分分析，涵盖宏观与微观形貌检测及成分检测；(2) 结构与物性分析，可满足质谱色谱光谱分析、热分析、电化学分析、表界面与性能分析；(3) 力学性能测试，涉及动/静态力学性能检测，尤其是非线性测试；(4) 精密制造与加工。
