通过物理或化学等方式在晶圆上沉积各种功能薄膜材料的装备，根据薄膜材料的不同可以分为金属薄膜（Al/Cu/W/Ti）、介质薄膜（SiO2/Si3N4）以及半导体材料薄膜（Si、AlN、SiC、GaN、Dimond等）。集成电路薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和分子束外延（MBE）三大类。PVD是指通过热蒸发或者靶表面受到粒子轰击时发生原子溅射等物理过程；CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺；分子束外延（MBE）是一种在硅片表面按照衬底晶向生长单晶薄膜的工艺。
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