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11月26日,人民日报刊登《武汉大学以高水平学科建设深入推进学校高质量发展—夯基础 强特色 创一流》一文,点赞中国科学院院士、武创院芯片制造协同设计研究所所长、武创芯研科技首席科学家刘胜教授的研究成果。他主持的国家重大科研仪器研制项目——“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”通过结题验收,进入落地转化阶段。
“这个项目属于多学科交叉的前沿基础研究领域,涉及先进制造、物理学、化学、材料科学等分支学科。”刘胜介绍,他的团队历时5年多协同开展关键技术攻关,成功研制该装置,推动了我国宽禁带半导体材料异质异构集成等领域关键技术的发展,并在6年内获得国家级与省部级科技奖7项。其中,“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”获国家科学技术进步奖一等奖。